1，物理性質(zhì)：
原子量：69.723
熔點：29.78 ℃
沸點：2403 ℃
密度：5.907 g/cm3 (20℃)
莫比硬度：1.5 kg/mm2
超臨界溫度：1.087K
固態(tài)略帶蘭色，質(zhì)軟，液態(tài)銀白色。
2，規(guī)格：
化學純度：
高純鎵：Ga-05 純度99.999%以上，銀，鋁，鈣，鉻，銅，鐵，汞，銦，鎂，錳，鎳，鉛，銻，錫，鋅雜質(zhì)總含量小于10ppm；
超純鎵：Ga-06 純度99.9999%以上，鉻，銅，鐵，鎂，錳，鎳，鉛，銻，錫，鋅雜質(zhì)總含量小于1ppm；
超高純鎵：Ga-06 純度99.99999%以上，銅，鐵，鎂，錳，鎳，鉛，銻，錫，鋅雜質(zhì)總含量小于0.1ppm。
3，物理性狀：固體。
4，用途：
主要用于制備
Ⅲ-Ⅴ族化合物半導體，為GaAs, GaP, GaAsP, GaAlAs, GaAlP高純合金，晶體管合金，超低溫合金，原子反應堆中之熱載體以及鍺，硅單晶的摻雜
